doc. Ing. et Ing.

Fabian Khateb

Ph.D. et Ph.D.

FEKT, UMEL – docent

+420 54114 6128
khateb@feec.vutbr.cz

Odeslat VUT zprávu

doc. Ing. et Ing. Fabian Khateb, Ph.D. et Ph.D.

Patenty

  • 2018

    patent
    KHATEB, F.; VLASSIS, S.; KULEJ, T.; SOULIOTIS, G.; VUT v Brně.: Bulk-driven napěťový atenuátor. 307308, patent. (2018)
    Detail

  • 2016

    patent
    KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 306418, patent. (2016)
    Detail

    patent
    KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 306242, patent. (2016)
    Detail

    užitný vzor
    KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový bulk-driven kruhový zesilovač pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 29339, užitný vzor. (2016)
    Detail

    užitný vzor
    KHATEB, F.; KULEJ, T.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Laditelný podprahový bulk-driven transkonduktor pro aplikace s velmi nízkým napájecím napětím. 29053, užitný vzor. (2016)
    Detail

  • 2014

    patent
    KHATEB, F.; VLASSIS, S.; Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ: Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím. 304766, patent. (2014)
    Detail

  • 2013

    patent
    KHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 303698, patent. (2013)
    Detail

  • 2011

    užitný vzor
    KHATEB, F.; KHATIB, N.; Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ: Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody. 23091, užitný vzor. Brno (2011)
    Detail