Detail patentu

Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody

KHATEB, F. KHATIB, N.

Typ patentu

patent

Abstrakt

Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.

Klíčová slova

MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu

Číslo patentu

303698

Datum přihlášky

19. 7. 2011

Datum zápisu

6. 2. 2013

Vydavatel

Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)

Vlastník

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/303/303698.pdf