Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Project detail
Duration: 01.01.2007 — 31.12.2007
Funding resources
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR - Fond rozvoje vysokých škol (FRVŠ)
- whole funder (2007-01-29 - not assigned)
On the project
Projekt se zabývá diagnostikou povrchů fotovoltaických článků, na které jsou deponovány různé druhy materiálů, představující povrchovou pasivaci. Vrstvy se deponují reaktivním magnetronovým naprašováním. Výhodou této metody je rychlost depozice, homogenita vrstvy a nízká teplota při naprašování. Na těchto strukturách je možno měřit jejich elektrické vlastnosti metodou C-V (Capacity-Voltage method) měření. Projekt zahrnuje návrh a vytvoření pracoviště pro měření povrchů solárních článků výše uvedenými metodami a zavedení tohoto pracoviště jako laboratorní cvičení předmětu BESO (Elektronické součástky).
Description in EnglishIn this project the solar cells with a surface passivation of SiN, AlN and SiC are characterised by Capacity-Voltage measurement.
Keywordskapacita PN přechodu, pasivace, solární články
Key words in Englishcapacity of PN junction, passivation, silicon solar cells
Mark
1360/G 1
Default language
Czech
People responsible
Hégr Ondřej, Ing., Ph.D. - principal person responsible
Units
Department of Microelectronics- (2007-01-29 - not assigned)
Results
HÉGR, O.; BOUŠEK, J.; FOŘT, T.; PORUBA, A.; BAŘINKA, R. Sputtered SiNx, AlN and SiC as passivation and ARC layers. In Electronic Devices and Systems EDS´07. Brno: Ing. Zdeněk Novotný CSc., Brno, 2007. p. 164 ( p.)ISBN: 978-80-214-3470-7.Detail
HÉGR, O. Study of Sputtered Passivation Layers Properties by means of MW-PCD Measurement. In Student EEICT 2007, Volume 4. 2007. p. 313-317. ISBN: 978-80-214-3410-3.Detail