Detail předmětu
Microelectronic Devices and Structures
FEKT-NMPRAk. rok: 2015/2016
Základní funkční bloky mikroelektronických struktur.
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Výsledky učení předmětu
Podrobná znalost principů, struktur a modelů mikroelektro-nických součástek používaných v simulátorech elektronických obvodů.
Prerekvizity
Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.
Doporučená nebo povinná literatura
Sze S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 1981. (EN)
Sze S.M.: High-Speed Semiconductor Devices. Wiley, 1988. (EN)
Sze S.M.: Modern Semiconductor Device Physics. Wiley, 1998. (EN)
Sze S.M., Chang C.Y.: ULSI Devices. Wiley, 2000. (EN)
Hess K.: Advanced Theory of Semiconductor Devices. Willey, 2000. (EN)
Taur Y., Ning T.H.: Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 1998. (EN)
Dragoman D., Dragoman M.: Advanced Optoelectronic Devices. Springer Verlag, 1999. (EN)
Zimmermann H.: Integrated Silicon Optoelectronics. Springer Verlag, 2000. (EN)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014 (CS)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Prezentace projektu KISP. Brno 2014 (CS)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Cvičení. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014
Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody
Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.
Způsob a kritéria hodnocení
Podmínky pro úspěšné ukončení předmětu stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.
Jazyk výuky
angličtina
Cíl
Podrobné studium struktur a vlastností mikroelektronických prvků, jejich fyzikálních a obvodových modelů.
Podrobné studium modelů součástek, jejich parametrů a použitelnosti.
Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky
Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.