prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.

Ústav mikroelektroniky (UMEL)

Podrobná znalost principů, struktur a modelů mikroelektro-nických součástek používaných v simulátorech elektronických obvodů.

Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.

Sze S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 1981. (EN)
Sze S.M.: High-Speed Semiconductor Devices. Wiley, 1988. (EN)
Sze S.M.: Modern Semiconductor Device Physics. Wiley, 1998. (EN)
Sze S.M., Chang C.Y.: ULSI Devices. Wiley, 2000. (EN)
Hess K.: Advanced Theory of Semiconductor Devices. Willey, 2000. (EN)
Taur Y., Ning T.H.: Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge University Press, 1998. (EN)
Dragoman D., Dragoman M.: Advanced Optoelectronic Devices. Springer Verlag, 1999. (EN)
Zimmermann H.: Integrated Silicon Optoelectronics. Springer Verlag, 2000. (EN)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014 (CS)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Prezentace projektu KISP. Brno 2014 (CS)
MUSIL, V. a kol.: Mikroelektronické prvky a struktury. Cvičení. Elektronický text projektu KISP. Brno 2014

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Podmínky pro úspěšné ukončení předmětu stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

angličtina

Podrobné studium struktur a vlastností mikroelektronických prvků, jejich fyzikálních a obvodových modelů.
Podrobné studium modelů součástek, jejich parametrů a použitelnosti.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

• Program EEKR-MN magisterský navazující

  obor MN-MEL , 1. ročník, zimní semestr, 5 kreditů, povinný
  

26 hod., povinná

prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.