Publication detail

Simulation of behavior of quantum dot in electrostatic fields

HRUŠKA, P. GRMELA, L.

Original Title

Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

Czech Title

Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

English Title

Simulation of behavior of quantum dot in electrostatic fields

Type

journal article

Language

cs

Original Abstract

Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.

Czech abstract

Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.

English abstract

Paper deals with behavior of nanostructure in electrostatic fields. The nanostructure contains a Si quantum dot, embedded in SiO2. Paper presents results of numerical evaluation of ground state wave and probability function.

Keywords

quantum dot, nanostructure, Comsol, MultiPhysics, Poisson-Schrodinger model, emission bias

RIV year

2011

Released

16.08.2011

Publisher

FZÚ

Location

Olomouc

Pages from

216

Pages to

219

Pages count

4

BibTex


@article{BUT75607,
  author="Pavel {Hruška} and Lubomír {Grmela}",
  title="Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli",
  annote="Článek se zabývá chováním nanostruktury v  elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.",
  address="FZÚ",
  chapter="75607",
  institution="FZÚ",
  number="7-8",
  volume="56",
  year="2011",
  month="august",
  pages="216--219",
  publisher="FZÚ",
  type="journal article"
}