Detail publikace

Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

HRUŠKA, P. GRMELA, L.

Originální název

Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

Český název

Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli

Anglický název

Simulation of behavior of quantum dot in electrostatic fields

Typ

článek v časopise

Jazyk

cs

Originální abstrakt

Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.

Český abstrakt

Článek se zabývá chováním nanostruktury v elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.

Anglický abstrakt

Paper deals with behavior of nanostructure in electrostatic fields. The nanostructure contains a Si quantum dot, embedded in SiO2. Paper presents results of numerical evaluation of ground state wave and probability function.

Klíčová slova

kvantová tečka, nanostruktura, Comsol, MultiPhysics, Poissonův-Schrodingerův model, emisní napětí

Rok RIV

2011

Vydáno

16.08.2011

Nakladatel

FZÚ

Místo

Olomouc

Strany od

216

Strany do

219

Strany počet

4

BibTex


@article{BUT75607,
  author="Pavel {Hruška} and Lubomír {Grmela}",
  title="Simulování chování kvantové tečky v elektrostatickém poli",
  annote="Článek se zabývá chováním nanostruktury v  elektrostatickém poli. Nanostruktura obsahuje Si kvantovou tečku, uzavřenou v SiO2 prostředí. Uvádějí se výsledky výpočtu rovnovážných energetických stavů, vlnových funkcí a pravděpodobnostních funkcí těchto stavů při různých hodnotách napětí pole. Výrazná změna polohy maxima pravděpodobnostní funkce při určité hodnotě napětí je přisouzena emisi vodivostního elektronu kvantové tečky. Numerické hodnoty potenciální energie elektronu a charakteristické veličiny kvantových stavů nanostruktury jsou získány řešením Poissonovy a Schrődingerovy rovnice metodou konečných elementů (FEM). 2D Poissonův-Schrődingerův model (PSM) pro program Comsol Multiphysics byl vypracován autory článku.",
  address="FZÚ",
  chapter="75607",
  institution="FZÚ",
  number="7-8",
  volume="56",
  year="2011",
  month="august",
  pages="216--219",
  publisher="FZÚ",
  type="journal article"
}