Publication detail

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

DALLAEVA, D. RAMAZANOV, S. PROKOPYEVA, E. BRÜSTLOVÁ, J. TOMÁNEK, P.

Original Title

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Czech Title

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Language

cs

Original Abstract

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

Czech abstract

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

Documents

BibTex


@article{BUT111080,
  author="Dinara {Sobola} and Shihgasan {Ramazanov} and Elena {Prokopyeva} and Jitka {Brüstlová} and Pavel {Tománek}",
  title="Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání",
  annote="Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.",
  address="FZU AV ČR",
  chapter="111080",
  institution="FZU AV ČR",
  number="11-12",
  volume="59",
  year="2014",
  month="december",
  pages="299--302",
  publisher="FZU AV ČR",
  type="journal article - other"
}