Detail publikace

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

DALLAEVA, D. RAMAZANOV, S. PROKOPYEVA, E. BRÜSTLOVÁ, J. TOMÁNEK, P.

Originální název

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Český název

Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

cs

Originální abstrakt

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

Český abstrakt

Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.

Klíčová slova

leptání safír, karbid křemíku, substrát, mikroskopie atomárních sil

Rok RIV

2014

Vydáno

03.12.2014

Nakladatel

FZU AV ČR

Místo

Přerov

ISSN

0447-6441

Periodikum

Jemná mechanika a optika

Ročník

59

Číslo

11-12

Stát

CZ

Strany od

299

Strany do

302

Strany počet

4

Dokumenty

BibTex


@article{BUT111080,
  author="Dinara {Sobola} and Shihgasan {Ramazanov} and Elena {Prokopyeva} and Jitka {Brüstlová} and Pavel {Tománek}",
  title="Lokální topografie optoelektronických substrátů připravených pomocí plazmového leptání",
  annote="Rychlost leptání karbidu křemíku a oxidu hlinitého byla studováná v závislosti na úhlu leptacího materiálu a toku plazmy. Al2O3 a SiC jsou zajímavé materiály pro konstrukci optických a elektronických zařízení a topografie waferů má velký vliv na kvalitu zařízení. Argon byl použit pro suché leptání Al2O3 a SiC. Je definován sklon waferů na nejvyšší získanou rychlost leptání je definován. Mikroskopie atomárních sil byla použita ke kontrole morfologie leptaných waferů. Statistická a korelační analýza byla použita pro odhad povrchové dokonalosti. Interferometrie byl použit k nalezení rychlost leptání.",
  address="FZU AV ČR",
  chapter="111080",
  institution="FZU AV ČR",
  number="11-12",
  volume="59",
  year="2014",
  month="december",
  pages="299--302",
  publisher="FZU AV ČR",
  type="journal article - other"
}