Patent detail
Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody
KHATEB, F. KHATIB, N.
Patent type
Patent
Abstract
Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.
Keywords
MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu
Patent number
303698
Date of registration
06.02.2013
Publisher
Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)
Owner
Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ
www