Product detail

Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu

HRDÝ, R. PRÁŠEK, J. VANČÍK, S. SCHMID, U. HUBÁLEK, J.

Product type

funkční vzorek

Abstract

Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.

Keywords

Ramanova spektroskopie, půda, detekce, fosfor

Create date

19.04.2019

Location

LabSensNano (CEITEC RG1-2) T10-N0.66

www

Documents