Detail produktu

Al2O3/HfO2 heterogenní kapacitor na čipu

HRDÝ, R. PRÁŠEK, J. VANČÍK, S. SCHMID, U. HUBÁLEK, J.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

Jedná se o planární kapacitor s heterogenní strukturou dielektrika o nominální tloušťce 10 nm. Dielektrikum je tvořeno střídavým vrstvením Al2O3 a HfO2 o tloušťkách ~1 nm, nanesených pomocí depozice atomárních vrstev (ALD). Kapacitory jsou umístěny na křemíkovém substrátu-čipu tvořícím spodní elektrodu. Horní elektroda je tvořena 250 nm napařeného zlata. Tato elektroda je vytvořena metodou Lift-Off. Kapacitory s proměnnou plochou jsou sdruženy na čipu v podobě testovacího pole.

Klíčová slova

Ramanova spektroskopie, půda, detekce, fosfor

Datum vzniku

19.04.2019

Umístění

LabSensNano (CEITEC RG1-2) T10-N0.66

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www