Detail publikace

Modelování memristoru z jeho konstituční relace

BIOLKOVÁ, V. BIOLEK, Z. BIOLEK, D.

Originální název

Modelování memristoru z jeho konstituční relace

Anglický název

Memristor modeling from its constitutive relation

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Většina dosud publikovaných modelů memristorů vychází z jejich stavového popisu. V tomto článku je popsána jiná metoda modelování, která využívá jednoznačné charakteristiky memristoru, jeho konstituční relace, tj. závislosti mezi tokem a nábojem. Konstituční relace je invariantní vůči způsobu interakce memristoru s okolím a jednoznačně tento elektrický prvek definuje, podobně jako například voltampérová charakteristika definuje rezistor. Metoda je využita k SPICE modelování memristorů řízených nábojem a tokem.

Anglický abstrakt

Most of the hitherto published models of memristors starts from their state-space description. In this paper, another method of modeling is used which utilizes an unambiguous characteristic of the memristor, namely its constitutive relation, i.e. the flux and charge relationship. The constitutive relation does not depend on the way of the memristor interaction with its neighborhood, and it defines the memristor uniquely such as the voltage-current characteristic defines the resistor. The method is used for SPICE modeling of charge- and flux-controlled memristors.

Klíčová slova

memristor, konstituční relace, modelování, SPICE

Klíčová slova v angličtině

memristor, constitutive relation, modeling, SPICE

Autoři

BIOLKOVÁ, V.; BIOLEK, Z.; BIOLEK, D.

Rok RIV

2010

Vydáno

29. 5. 2010

Nakladatel

IEEE

Místo

Praha

ISSN

0037-668X

Periodikum

Slaboproudý obzor

Ročník

66

Číslo

2

Stát

Česká republika

Strany od

1

Strany do

3

Strany počet

3

BibTex

@article{BUT48075,
  author="Viera {Biolková} and Zdeněk {Biolek} and Dalibor {Biolek}",
  title="Modelování memristoru z jeho konstituční relace",
  journal="Slaboproudý obzor",
  year="2010",
  volume="66",
  number="2",
  pages="1--3",
  issn="0037-668X"
}