Detail publikace

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

RECMAN, M.

Originální název

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

Český název

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

Typ

článek ve sborníku

Jazyk

cs

Originální abstrakt

Se zmenšováním základních strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.

Český abstrakt

Se zmenšováním základních strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.

Klíčová slova

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Podprahový proud, Jevy krátkého kanálu, MOSFET, Kvantizační jevy, Van Dortův model

Rok RIV

2007

Vydáno

01.01.2007

Nakladatel

Nakl. Novotný

Místo

Brno

ISBN

978-80-214-3534-6

Kniha

MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007

Strany od

56

Strany do

60

Strany počet

5

BibTex


@inproceedings{BUT25398,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu",
  annote="Se zmenšováním  základních  strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  chapter="25398",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2007",
  month="january",
  pages="56",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}