Publication detail

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

Original Title

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

Czech Title

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

Language

cs

Original Abstract

Se zmenšováním základních strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.

Czech abstract

Se zmenšováním základních strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.

BibTex


@inproceedings{BUT25398,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu",
  annote="Se zmenšováním  základních  strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.",
  address="Nakl. Novotný",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  chapter="25398",
  institution="Nakl. Novotný",
  year="2007",
  month="january",
  pages="56",
  publisher="Nakl. Novotný",
  type="conference paper"
}