Student se v rámci diplomové práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k  růstu Ga a GaN struktur na grafenový substrát. V rámci diplomové práce byly připraveny ultratenké vrstvy Ga na poly- a monokrystalický CVD grafenový substrát. Struktury byly připravovány užitím efuzní cely a iontového svazku dusíku o nízké energii (E = 50 eV) v UHV podmínkách. Tyto vzniklé ultratenké vrstvy byly studentem analyzovány užitím metod XPS, SEM, EDX, AFM a Ramanovou spektroskopií. Nad rámec práce studen provedl depozici na grafenový substrát připraveny metodou exfoliace. Výsledky budou využity k přípravě a studiu GaN nanostruktur na grafenovém substrátu a budou publikovány v odborném časopise. Práce studenta byla intenzivní, samostatná a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání, projevoval nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínal snaživě.

Na diplomové práci je vidět, že k ní autor přistupoval s opravdovým zájmem. Téma diplomové práce však zasahovalo širokou škálu technologií a zadané experimentální cíle (3. a 4.) byly velmi náročné a nebylo téměř možné v tak krátkém období je beze zbytku splnit. To poněkud snížilo hodnocení některých bodů jinak velmi kvalitní diplomové práce.
Se šíří tématu si diplomant dobře poradil v rešerši, a splnil tak 1. i 2. cíl práce. Pro experimentální přípravu GaN nanostruktur (3. cíl práce) možná nebyly zvoleny ideální podmínky depozice. O GaN nanodrátech je známo, že vyžadují správnou polaritu růstu ve směru (000-1). Před depozicí je tedy nutné substrát nitridovat. Informaci o tomto technologickém kroku jsem v diplomové práci nenašla. Diplomant se při návrhu experimentu opíral o jedinou práci. Tento náročný úkol vyžadoval preciznější rešerši. V experimentální části práce lze především ocenit podrobné studium depozice Ga na grafenových vrstvách připravených různými způsoby a využití vhodné kombinace experimentálních metod pro charakterizaci vzorků AFM, XPS, EDX a zejména Ramanovy spektroskopie, ze kterých diplomant dokázal správně vyčíst důležité informace o struktuře a složení.
Také 4. cíl práce byl v podstatě splněn. Příprava tenkých vrstev Ga a GaN na grafenu je podle dostupné literatury extrémně nesnadná. Přípravu GaN nitridací Ga kapiček lze považovat za dobrou aproximaci zadaného úkolu.
Co se týče uspořádání diplomové práce, rešeršní a vlastní experimentální práce jsou správně odděleny a vlastní výsledky jsou zřejmé. Pouze v kapitole 1.2.4 jsou výsledky kombinovány zřejmě kvůli nedostatku experimentálních výsledků na nanostrukturách GaN. Názvy kapitol 5.1 a 5.2 jsou téměř identické. Pro snadnější orientaci v práci bych upravila název kapitoly 5.1, protože se zde jedná o depozici Ga na CVD grafen přenesený pomocí PMMA na Si (111) substrát.
Velice oceňuji grafickou úpravu práce i její sepsání v anglickém jazyce.
Diplomant dostatečně prokázal schopnost samostatné práce.