Autor práce: Ing. Petr Mareš
Ak. rok: 2013/2014
Vedoucí: Ing. Jindřich Mach, Ph.D.
Oponent: Ing. Alice Hospodková, Ph.D.
Abstrakt:Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
grafen, nitrid gallia, gallium, SERS, nitridace
Termín obhajoby
23.6.2014
Výsledek obhajoby
obhájeno (práce byla úspěšně obhájena)
Klasifikace
A
Jazyk práce
čeština
Fakulta
Ústav
Studijní program
Aplikované vědy v inženýrství (M2A-P)
Studijní obor
Fyzikální inženýrství a nanotechnologie (M-FIN)
Složení komise
prof. RNDr. Tomáš Šikola, CSc. (předseda)
prof. RNDr. Miroslav Liška, DrSc. (místopředseda)
prof. RNDr. Bohumila Lencová, CSc. (člen)
prof. RNDr. Jiří Komrska, CSc. (člen)
prof. RNDr. Petr Dub, CSc. (člen)
prof. RNDr. Radim Chmelík, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Jiří Spousta, Ph.D. (člen)
prof. Ing. Ivan Křupka, Ph.D. (člen)
prof. RNDr. Pavel Zemánek, Ph.D. (člen)
RNDr. Antonín Fejfar, CSc. (člen)
Posudek vedoucího
Ing. Jindřich Mach, Ph.D.
Známka navržená vedoucím: A
Posudek oponenta
Ing. Alice Hospodková, Ph.D.
Známka navržená oponentem: A