Publication detail

Izolace hrany Si solárního článku leptací pastou.

Original Title

Izolace hrany Si solárního článku leptací pastou.

Czech Title

Izolace hrany Si solárního článku leptací pastou.

Language

cs

Original Abstract

Izolace hrany Si článku lokálním leptáním je jednou z metod otevření p-n přechodu po oboustranné difůzi a může nahradit mechanické broušení hrany článku. Hloubka proleptání a tedy kvalita otevření p-n přechodu (paralelní odpor článku) je závislá na teplotě. Předmětem zkoumání je najít optimální parametry nanášení pasty a vhodnou teplotu aktivace.

Czech abstract

Izolace hrany Si článku lokálním leptáním je jednou z metod otevření p-n přechodu po oboustranné difůzi a může nahradit mechanické broušení hrany článku. Hloubka proleptání a tedy kvalita otevření p-n přechodu (paralelní odpor článku) je závislá na teplotě. Předmětem zkoumání je najít optimální parametry nanášení pasty a vhodnou teplotu aktivace.

BibTex


@inproceedings{BUT20667,
  author="Jiří {Hladík} and Luboš {Jakubka} and Ivan {Szendiuch}",
  title="Izolace hrany Si solárního článku leptací pastou.",
  annote="Izolace hrany Si článku lokálním leptáním je jednou z metod otevření p-n přechodu po oboustranné difůzi a může nahradit mechanické broušení hrany článku.
Hloubka proleptání a tedy kvalita otevření p-n přechodu (paralelní odpor článku) je závislá na teplotě. Předmětem zkoumání je najít optimální parametry nanášení pasty a vhodnou teplotu aktivace.
",
  address="Ing. Zdeněk Novotný CSc.",
  booktitle="Mikrosyn. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích. Sborník seminare",
  chapter="20667",
  institution="Ing. Zdeněk Novotný CSc.",
  year="2005",
  month="december",
  pages="85",
  publisher="Ing. Zdeněk Novotný CSc.",
  type="conference paper"
}