Publication detail

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

P. KOKTAVÝ, B. KOKTAVÝ

Original Title

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

English Title

Study of microplasma noise in GaAsP diodes

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

V současné době je známo, že výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech v polovodičích je podmíněn nedokonalostmi krystalové mřížky polovodiče. Tyto oblasti se zpravidla vyznačují nižším průrazným napětím pro vznik lavinové ionizace v silných elektrických polích než ostatní homogenní část přechodu. V důsledku existence těchto oblastí může u PN přechodů polarizovaných ve zpětném směru docházet při určitých hodnotách závěrných napětí k lokálním lavinovým průrazům, které se projevují jako šum mikroplazmy. Sledování bistabilního mechanismu vedení proudu lze potom využít k vyhodnocení nehomogenity PN přechodu.

English abstract

The paper is intended to show the results of our theoretical as well as experimental studies of the phenomena that occur in consequence of micro-plasma discharges at localized points of PN junctions of reverse biased GaAs0,60P0,40 LEDs, which in turn manifest themselves as bi-stable or multi-stable noise.

Keywords

Microplasma noise, PN Junction, Avalanche, Impact ionization

Authors

P. KOKTAVÝ, B. KOKTAVÝ

Released

20. 1. 2006

Publisher

Vysoké učení technické v Brně

Location

Brno

ISBN

80-7355-062-8

Book

Nové trendy v Mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

Pages from

115

Pages to

119

Pages count

5

BibTex

@inproceedings{BUT20226,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách",
  booktitle="Nové trendy v Mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  year="2006",
  pages="5",
  publisher="Vysoké učení technické v Brně",
  address="Brno",
  isbn="80-7355-062-8"
}