Publication detail

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

Original Title

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

Czech Title

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

Language

cs

Original Abstract

V současné době je známo, že výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech v polovodičích je podmíněn nedokonalostmi krystalové mřížky polovodiče. Tyto oblasti se zpravidla vyznačují nižším průrazným napětím pro vznik lavinové ionizace v silných elektrických polích než ostatní homogenní část přechodu. V důsledku existence těchto oblastí může u PN přechodů polarizovaných ve zpětném směru docházet při určitých hodnotách závěrných napětí k lokálním lavinovým průrazům, které se projevují jako šum mikroplazmy. Sledování bistabilního mechanismu vedení proudu lze potom využít k vyhodnocení nehomogenity PN přechodu.

Czech abstract

V současné době je známo, že výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech v polovodičích je podmíněn nedokonalostmi krystalové mřížky polovodiče. Tyto oblasti se zpravidla vyznačují nižším průrazným napětím pro vznik lavinové ionizace v silných elektrických polích než ostatní homogenní část přechodu. V důsledku existence těchto oblastí může u PN přechodů polarizovaných ve zpětném směru docházet při určitých hodnotách závěrných napětí k lokálním lavinovým průrazům, které se projevují jako šum mikroplazmy. Sledování bistabilního mechanismu vedení proudu lze potom využít k vyhodnocení nehomogenity PN přechodu.

BibTex


@inproceedings{BUT20226,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách",
  annote="V současné době je známo, že výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech v polovodičích je podmíněn nedokonalostmi krystalové mřížky polovodiče. Tyto oblasti se zpravidla vyznačují nižším průrazným napětím pro vznik lavinové ionizace v silných elektrických polích než ostatní homogenní část přechodu. V důsledku existence těchto oblastí může u PN přechodů polarizovaných ve zpětném směru docházet při určitých hodnotách závěrných napětí k lokálním lavinovým průrazům, které se projevují jako šum mikroplazmy. Sledování bistabilního mechanismu vedení proudu lze potom využít k vyhodnocení nehomogenity PN přechodu.",
  address="Vysoké učení technické v Brně",
  booktitle="Nové trendy v Mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  chapter="20226",
  institution="Vysoké učení technické v Brně",
  year="2006",
  month="january",
  pages="115",
  publisher="Vysoké učení technické v Brně",
  type="conference paper"
}