Patent detail

Bulk-driven napěťový atenuátor

KHATEB, F. VLASSIS, S. KULEJ, T. SOULIOTIS, G.

Patent type

Patent

Abstract

Bulk-driven napěťový atenuátor obsahuje dva PMOS tranzistory kaskádově zapojené mezi napájecím napětím a zemí. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru, napájecí napětí je přivedeno na elektrodu source prvního tranzistoru. První vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk druhého tranzistoru, druhé vstupní napětí je vyvedeno na elektrodu bulk prvního tranzistoru. Výstupní napětí je vyvedeno z elektrody source druhého tranzistoru. Hradlo gate a elektroda drain druhého tranzistoru jsou uzemněné. Elektroda drain prvního tranzistoru je propojena s elektrodou source druhého tranzistoru. Hradlo gate prvního tranzistoru je vyvedeno na řídicí napětí, které zajišťuje, že úroveň stejnosměrného napětí na výstupu atenuátoru je na polovině napájecího napětí. Tím se zvyšuje rozsah vstupního napětí následujícího obvodu, který je připojen k výstupu atenuátoru, tj. na svorku výstupního napětí.

Keywords

Bulk-driven MOS.

Patent number

307308

Date of application

29. 3. 2017

Date of registration

11. 4. 2018

Date of expiry

29. 3. 2037

Owner

VUT v Brně.

Possibilities of use

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

Licence fee

The licensor requires a license fee for the result

www

http://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/Patents/FullDocuments/307/307308.pdf