Publication detail

Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure

ELHADIDY, H. GRILL, R. FRANC, J. ŠIK, O. MORAVEC, P. SCHNEEWEISS, O.

Original Title

Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure

Type

journal article in Web of Science

Language

English

Original Abstract

Byly měřeny proudové přechody u struktury Schottkyho struktury kov-polovodič-kov. Vytvořili jsme nový model objas ňující proudový přechod jakožrto důsledek migracie iontových defektů. Byly stanoveny hustoty donorů, akceptorů a difuzní koeficienty iontových příměsí. Model je ověřen měřenním změny odporu materiálu v čase. Byla zaznamenána velmi nízká tendence návratu rezistivity v čase.

Keywords

Cdte, schottky contacts, electromigration

Key words in English

Cdte, Schottkyho kontakty, elektromigrace

Authors

ELHADIDY, H.; GRILL, R.; FRANC, J.; ŠIK, O.; MORAVEC, P.; SCHNEEWEISS, O.

RIV year

2015

Released

1. 6. 2015

Publisher

Elsevier

Location

Holland

ISBN

0167-2738

Periodical

SOLID STATE IONICS

Year of study

277

Number

27

State

Kingdom of the Netherlands

Pages from

20

Pages to

25

Pages count

6

URL

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836

BibTex

@article{BUT114374,
  author="Hassan {Elhadidy} and Roman {Grill} and Jan {Franc} and Ondřej {Šik} and Pavel {Moravec} and Oldřich {Schneeweiss}",
  title="Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure",
  journal="SOLID STATE IONICS",
  year="2015",
  volume="277",
  number="27",
  pages="20--25",
  doi="10.1016/j.ssi.2015.04.016",
  issn="0167-2738",
  url="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836"
}