Detail produktu

Nanostructured alumina-tantala dielectrics for high-frequency integral capacitors

MOZALEV, A. HUBALEK, J.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

Three types of thin solid films with the nanoscale inner structures were synthesized by sputtering-deposition and anodizing of Al layer, Al 1.5 at.% Si alloy layer, and Al/Ta bilayer on Si wafers. All the anodic films comprised 1 um thick nanoporous alumina layer as the key component. The essential differences were due to the silicon impurities (AlSi alloy) and the array of nanosized tantalum oxide protrusions in the alumina barrier layer (Al/Ta bilayer).

Klíčová slova

porous alumina; tantalum oxide; nanostructure; dielectric properties; electric polarization; integral capacitors; high-frequency performance

Datum vzniku

31. 7. 2012

Umístění

LabSensNano, SIX, UMEL

Možnosti využití

Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www