Detail publikace

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

MIKA, F. FRANK, L.

Originální název

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

Anglický název

Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE.

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Tématem práce je studium polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

Anglický abstrakt

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.

Klíčová slova v angličtině

low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission

Autoři

MIKA, F.; FRANK, L.

Vydáno

16. 12. 2002

Nakladatel

UPT AV ČR, Brno

Místo

BRNO

ISBN

80-238-9915-5

Kniha

Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika

Číslo edice

1

Strany od

23

Strany do

24

Strany počet

2

BibTex

@inproceedings{BUT5173,
  author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}",
  title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů",
  booktitle="Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika",
  year="2002",
  number="1",
  pages="2",
  publisher="UPT AV ČR, Brno",
  address="BRNO",
  isbn="80-238-9915-5"
}