Detail publikace

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

ANDO, M., HASHIGUCHI, S., ŠIKULA, J., MATSUI, T.

Originální název

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature

Klíčová slova v angličtině

Hooge parameter

Autoři

ANDO, M., HASHIGUCHI, S., ŠIKULA, J., MATSUI, T.

Vydáno

1. 11. 2000

ISSN

0026-2714

Periodikum

Microelectronics Reliability

Ročník

40

Číslo

11

Stát

Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Strany od

1921

Strany do

1924

Strany počet

4

BibTex

@article{BUT44214,
  author="Munecazu {Tacano} and M. {Ando} and Sumihisa {Hashiguchi} and Josef {Šikula} and Toshiaki {Matsui}",
  title="Dependence of Hooge parameter of InAs heterostructure on temperature",
  journal="Microelectronics Reliability",
  year="2000",
  volume="40",
  number="11",
  pages="4",
  issn="0026-2714"
}