Detail patentu

Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания

RAMAZANOV, S. GAMMATAEV, S. RIZVANOV, I. RAMAZANOV, G. SOBOLA, D.

Typ patentu

patent

Abstrakt

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.

Klíčová slova

нитрид алюминя, тонкая пленка, подложка

Číslo patentu

2018139626/05(065797)

Datum přihlášky

11. 11. 2018

Datum zápisu

2. 2. 2020

Vlastník

SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek