Detail publikace

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE

MIKA, F. FRANK, L.

Originální název

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE

Anglický název

Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

Anglický abstrakt

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.

Klíčová slova v angličtině

low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission

Autoři

MIKA, F.; FRANK, L.

Vydáno

30. 1. 2004

Místo

Brno

ISBN

80-239-2268-8

Kniha

PDS 2003

Strany od

39

Strany do

42

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT11007,
  author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}",
  title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE",
  booktitle="PDS 2003",
  year="2004",
  pages="4",
  address="Brno",
  isbn="80-239-2268-8"
}