Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
MIKA, F. FRANK, L.
Originální název
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE
Anglický název
Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
čeština
Originální abstrakt
Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
Anglický abstrakt
The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Klíčová slova v angličtině
low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission
Autoři
MIKA, F.; FRANK, L.
Vydáno
30. 1. 2004
Místo
Brno
ISBN
80-239-2268-8
Kniha
PDS 2003
Strany od
39
Strany do
42
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT11007, author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}", title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE", booktitle="PDS 2003", year="2004", pages="4", address="Brno", isbn="80-239-2268-8" }