Detail projektu

Ionic-covalent description of bonding in GaN with self-consistent charge equilibration

Období řešení: 01.03.2019 — 28.02.2020

Zdroje financování

Vysoké učení technické v Brně - Vnitřní projekty VUT

- plně financující (2019-01-01 - 2020-12-31)

O projektu

The III-V semiconductors have been studied atomistically using purely covalent empirical potentials, despite the fact that their bonds have a partially ionic character. This unphysical approximation represents an obstacle to understanding charge redistribution around threading dislocations, and thus to unraveling their effect on luminescence and electron mobility. Our objective in this project is to develop a physically justified interatomic potential for GaN that involves both the covalent and the ionic part.

Označení

CEITEC VUT-J-19-5965

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Antoš Zdeněk, Ing. - hlavní řešitel
Gröger Roman, doc. Ing., Ph.D. et Ph.D. - spoluřešitel

Útvary

Středoevropský technologický institut VUT
- příjemce (01.01.2019 - 31.12.2019)

Výsledky

ANTOŠ, Z.; VACEK, P.; GRÖGER, R. Intersections of two stacking faults in zincblende GaN. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2020, vol. 180, no. 1, p. 109620-1 (109620-7 p.)ISSN: 0927-0256.
Detail

Odpovědnost: Antoš Zdeněk, Ing.