Student se v rámci diplomové práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k růstu Al a AlN nanostruktur na substrát SiO2 Si3N4. V rámci diplomové práce byly optimalizovány dva typy efuzních cel pro Al, u kterých bylo provedeno testování a kalibrace. Následně byla užitím metod XPS, AFM a SEM studována interakce Al s čistým SiO2 a s SiO2 pokrytým grafenem. Navíc byly připraveny ultratenké vrstvy AlN. Práce studenta byla intenzivní a snaživá. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání. Projevoval nadměrný zájem o danou problematiku, nicméně pří závěrečném zpracování výsledků si počínal mírně těžkopádně.

Diplomová práce je zaměřena na velmi aktuální problematiku přípravy a následné charakterizace ultratenkých vrstev nitridu hliníku AlN. Studovaný materiál je zajímavý už pro jeho možnou grafitickou strukturu nabízející výrazně odlišně vlastnosti od jeho typické hexagonální krystalické struktury. Tyto nanostruktury jsou potenciálně velmi významné pro polovodičový průmysl. Práce navazuje na systematickou studii přípravy nanostruktur a grafenu řešenou na Ústavu fyzikálního inženýrství (ÚFI). Mohu konstatovat, že byly zvoleny správné postupy a metody, které vedly k novým a cenným výsledkům, které není jednoduché interpretovat. Především bych zdůraznil rozsáhlou a trpělivou práci studenta v oblasti experimentální, včetně přípravy, testování a kalibrace efuzních cel. Práce je přehledná, dobře graficky zpracovaná a bez vážnějších formálních chyb. Práce obsahuje menší množství překlepů.