Detail publikace

Application of ToF - LEIS for Analysis of Surfaces and Ultra Thin Films

PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., BÁBOR, P.

Originální název

Application of ToF - LEIS for Analysis of Surfaces and Ultra Thin Films

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Low Energy Ion Scattering (LEIS) belongs to a wide group of surface science analytical techniques. Low detection limit and extreme surface sensitivity are the main advantages of LEIS. Atomic composition of analysed surfaces is determined from the energy distribution of the scattered rare gas ions. Their kinetic energy can be measured by a Time-of-Flight (ToF) spectrometer. Capabilities of the ToF LEIS spectrometer will be demonstrated at analysis of gallium layers evaporated on a SiO2 substrate

Klíčová slova v angličtině

ToF, LEIS, sputtering, Ga, SiO2

Autoři

PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., BÁBOR, P.

Rok RIV

2002

Vydáno

15. 11. 2001

Nakladatel

FEI VUT v Brně

Místo

Brno

ISBN

80-214-1992-X

Kniha

Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice

Strany od

404

Strany do

409

Strany počet

6

BibTex

@{BUT69628
}