Detail publikace

Low energy focused ion beam milling of silicon and germanium nanostructures

KOLÍBAL, M. MATLOCHA, T. VYSTAVĚL, T. ŠIKOLA, T.

Originální název

Low energy focused ion beam milling of silicon and germanium nanostructures

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

In this paper focused ion beam milling of very shallow nanostructures in silicon and germanium by low energy Ga+ ions is studied with respect to ion beam and scanning parameters. It has been found that, using low energy ions, many scanning artefacts can be avoided and, additionally, some physical effects (e.g. redeposition and ion channelling) are significantly suppressed. The structures milled with low energy ions suffer less subsurface ion beam damage (amorphization, formation of voids) and are thus more suitable for selected applications in nanotechnology.

Klíčová slova

FIB milling; Si; Ge

Autoři

KOLÍBAL, M.; MATLOCHA, T.; VYSTAVĚL, T.; ŠIKOLA, T.

Rok RIV

2011

Vydáno

2. 2. 2011

ISSN

0957-4484

Periodikum

NANOTECHNOLOGY

Ročník

22

Číslo

10

Stát

Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Strany od

105304-1

Strany do

105304-8

Strany počet

8