Detail publikace

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BARTOŠÍK, M., TOMANEC, O., ŠIKOLA, T.

Originální název

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study

Klíčová slova v angličtině

Ga, TOF, structural analysis, AFM

Autoři

KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BARTOŠÍK, M., TOMANEC, O., ŠIKOLA, T.

Rok RIV

2004

Vydáno

11. 11. 2004

Nakladatel

VUT v Brně

Místo

Brno

ISBN

80-7355-024-5

Kniha

New Trend in Physics

Strany od

230

Strany do

233

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT14279,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Miroslav {Bartošík} and Ondřej {Tomanec} and M. {Draxler} and P. {Bauer} and Tomáš {Šikola}",
  title="Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study",
  booktitle="New Trend in Physics",
  year="2004",
  pages="4",
  publisher="VUT v Brně",
  address="Brno",
  isbn="80-7355-024-5"
}