Detail publikace

RTS šum v tranzistorech MOSFET

PAVELKA, J. ŠIKULA, J. TACANO, M. TOITA, M.

Originální název

RTS šum v tranzistorech MOSFET

Anglický název

RTS noise in MOSFETs

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.

Anglický abstrakt

Low-frequency noise in MOSFETs is given mainly by 1/f-like noise and RTS (random telegraph signal) noise components, generated by charge carriers capture and emission by traps near channel. In this paper experimental results on RTS noise amplitude and mean capture and emission times are analysed as a function of applied bias and temperature and traps characteristics, such as activation energy and their position in channel are estimated.

Klíčová slova

RTS šum, 1/f šum, MOSFET, pasti

Klíčová slova v angličtině

RTS noise, 1/f noise, MOSFET, traps

Autoři

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

Rok RIV

2009

Vydáno

2. 11. 2009

Nakladatel

FZU AV ČR

Místo

Olomouc

ISSN

0447-6441

Periodikum

Jemná mechanika a optika

Ročník

54

Číslo

10

Stát

Česká republika

Strany od

273

Strany do

277

Strany počet

5

BibTex

@article{BUT48028,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="RTS šum v tranzistorech MOSFET",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2009",
  volume="54",
  number="10",
  pages="273--277",
  issn="0447-6441"
}