Detail publikace

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

PAVELKA, J. ŠIKULA, J. TACANO, M. TOITA, M.

Originální název

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

Český název

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

cs

Originální abstrakt

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.

Český abstrakt

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.

Klíčová slova

RTS šum, 1/f šum, MOSFET, pasti

Rok RIV

2008

Vydáno

08.12.2008

Nakladatel

IEEE

Místo

Praha

Strany od

5

Strany do

8

Strany počet

4

Dokumenty

BibTex


@article{BUT47037,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET",
  annote="Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.",
  address="IEEE",
  chapter="47037",
  institution="IEEE",
  journal="Slaboproudý obzor",
  number="3-4",
  volume="64",
  year="2008",
  month="december",
  pages="5--8",
  publisher="IEEE",
  type="journal article - other"
}