Detail publikace

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

PAVELKA, J. ŠIKULA, J. TACANO, M. TOITA, M.

Originální název

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

Anglický název

Characteristics of RTS noise in MOSFETs

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.

Anglický abstrakt

Low frequency noise in MOSFETs is given mainly by RTS and 1/f noise components. In this paper we present analysis of their dependence on the channel dimensions and number of charge carriers in it and also influence of electric field intensity in the channel on the RTS noise amplitude. By measurement of noise voltage time dependence in the wide temperature range we determined basic parameters of the traps.

Klíčová slova

RTS šum, 1/f šum, MOSFET, pasti

Klíčová slova v angličtině

RTS noise, 1/f noise, MOSFET, traps

Autoři

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

Rok RIV

2008

Vydáno

8. 12. 2008

Nakladatel

IEEE

Místo

Praha

ISSN

0037-668X

Periodikum

Slaboproudý obzor

Ročník

64

Číslo

3-4

Stát

Česká republika

Strany od

5

Strany do

8

Strany počet

4

BibTex

@article{BUT47037,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET",
  journal="Slaboproudý obzor",
  year="2008",
  volume="64",
  number="3-4",
  pages="5--8",
  issn="0037-668X"
}