Detail publikace

SiGe Technology

BARTOŇ, Z., MUSIL, V.

Originální název

SiGe Technology

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

This paper reviews the recent progress in both SiGe heterojunction bipolar (HBT) technology and SiGe field effect transistor (FET) technology.

Klíčová slova v angličtině

microelectronics, technology, SiGe structures

Autoři

BARTOŇ, Z., MUSIL, V.

Rok RIV

2001

Vydáno

2. 9. 2001

Nakladatel

Ing. Zdeněk Novotný, CSc.

Místo

Brno

ISBN

80-214-2027-8

Kniha

Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings

Strany od

302

Strany do

316

Strany počet

15

BibTex

@inproceedings{BUT4065,
  author="Zdeněk {Bartoň} and Vladislav {Musil}",
  title="SiGe Technology",
  booktitle="Socrates Workshop 2001. Intensive Training Programme in Electronic System Design. Proceedings",
  year="2001",
  pages="15",
  publisher="Ing. Zdeněk Novotný, CSc.",
  address="Brno",
  isbn="80-214-2027-8"
}