Detail publikace

SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs

ŠKARVADA, P. MACKŮ, R.

Originální název

SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs

Český název

SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

cs

Originální abstrakt

U snímků fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs lze i při použití nepokovených sond dosáhnout prostorového rozlišení lepšího než 250 nm. V článku je ukázáno spektrum generované fotoluminiscence při pokojové teplotě. Ve spektru se vyskytují dominantní vlnové délky fotoluminiscence okolo 1,3 um při teplotě 300 K. V článku je také předveden snímek topografie povrchu vzorku InAs/GaAs a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku ve stejné oblasti. Obrázky byly získány za pomoci NTEGRA SNOM mikroskopu v reflexním uspořádání.

Český abstrakt

U snímků fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs lze i při použití nepokovených sond dosáhnout prostorového rozlišení lepšího než 250 nm. V článku je ukázáno spektrum generované fotoluminiscence při pokojové teplotě. Ve spektru se vyskytují dominantní vlnové délky fotoluminiscence okolo 1,3 um při teplotě 300 K. V článku je také předveden snímek topografie povrchu vzorku InAs/GaAs a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku ve stejné oblasti. Obrázky byly získány za pomoci NTEGRA SNOM mikroskopu v reflexním uspořádání.

Klíčová slova

SNOM, Rastrovací optický mikroskop s lokální sondou v blízkém poli, Laterální střižné síly, Topografie, Lokální fotoluminiscence

Rok RIV

2007

Vydáno

31.10.2007

Nakladatel

Západočeská universita

Místo

Plzeň

ISBN

978-80-7043-572-4

Kniha

Elektrotechnika a informatika 2007

Číslo edice

první

Strany od

105

Strany do

108

Strany počet

4

BibTex


@inproceedings{BUT27788,
  author="Pavel {Škarvada} and Robert {Macků}",
  title="SNOM fotoluminiscence a topografické měření kvantových teček InAs/GaAs",
  annote="U snímků fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs lze i při použití nepokovených sond dosáhnout prostorového rozlišení lepšího než 250 nm. V článku je ukázáno spektrum generované fotoluminiscence při pokojové teplotě. Ve spektru se vyskytují dominantní vlnové délky fotoluminiscence okolo 1,3 um při teplotě 300 K. V článku je také předveden snímek topografie povrchu vzorku InAs/GaAs a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku ve stejné oblasti. Obrázky byly získány za pomoci NTEGRA SNOM mikroskopu v reflexním uspořádání.",
  address="Západočeská universita",
  booktitle="Elektrotechnika a informatika 2007",
  chapter="27788",
  howpublished="print",
  institution="Západočeská universita",
  year="2007",
  month="october",
  pages="105--108",
  publisher="Západočeská universita",
  type="conference paper"
}