Testování fotovoltaických článků pomocí přechodových dějů

Testing of solar cells using fasr transients

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

čeština

Parametry náhradního schématu jsou pro určení vlastností solárních článků velmi důlažité. V článku je popsána charakterizace solárních článků založená na měření odezvy článku na přechodné děje. Pro potlačení vlivu geometrické kapacity přechodu bylo používáno předpětí v rozsahu 400 – 500 mV. Předpětí bylo nastaveno pomocí proudového impulsu za temna nebo pomocí osvětlení. Je uvedeno blokové schéma zařízení a jsou diskutovány parametry naměřené u solárních článků různé kvality.

In solar cell diagnostic the parameters as the reverse breakdown voltage, depletion layer width and capacitance, serial and parallel resistance and lifetime of minority carriers are of great importance. Characterization of solar cells based on evaluation of solar cell response to fast transients is described. Because relatively high doping level by standard silicon solar cells a voltage bias in the range 400 – 500 mV is needed.to cancel the influence of the depletion layer capacitance. The voltage bias was made with dark current bias or with light bias.

Photovoltaic cells, Lifetime of minority carriers, Recombination, Junction capacity

Boušek J.

2006

12. 12. 2006

Nakl. Z. Novotný

80-214-3342-6

Konference MIKROSYN.

110

114

5