Detail publikace

RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects

TACANO, M., ŠIKULA, J., HLÁVKA, J., PAVELKA, J., SEDLÁKOVÁ, V.

Originální název

RTS Noise in Submicron MOSFETs: Low and High Field Effects

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

RTS noise amplitude and capture and emission processes time constants are analysed as a function of gate and drain voltage / lateral electric field intensity in submicron MOSFETs

Klíčová slova v angličtině

RTS noise, 1/f noise, MOSFET

Autoři

TACANO, M., ŠIKULA, J., HLÁVKA, J., PAVELKA, J., SEDLÁKOVÁ, V.

Rok RIV

2005

Vydáno

1. 1. 2005

Nakladatel

VUT

Místo

Brno

ISBN

80-214-2990-9

Kniha

Proceedings of EDS'05 Electronic Devices and Systems IMAPS CS Int. Conf.

Strany od

XV

Strany počet

8