Detail produktu

Epitaxní vrstva GaN nadeponovaná vysokoteplotní aparaturou MOCVD

ŠIK, O. VOBORNÝ, S. MÜNZ, F. HUBÁLEK, J.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

SEM, XRD, XPS, fotoluminiscenční analýza a elipsometrie epitaxní vrstvy GaN rostlé na safírovém substrátu metodou MOCVD.

Klíčová slova

GaN, epitaxy, SEM, XRD, XPS, Photoluminiscence, Ellipsometry, MOCVD

Datum vzniku

30.12.2018

Umístění

CEITEC, Research group RG102

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

www

Dokumenty