Detail produktu

Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů

HOFMAN, J. HÁZE, J.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.

Klíčová slova

tranzistor, MOS, prahové napětí, teplotní závislost, gama záření

Datum vzniku

20.10.2014

Umístění

168 Maxwell Avenue, Harwell, Oxfordshire, OX11 0QT, United Kingdom

Možnosti využití

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

Dokumenty