Detail produktu

Nízkonapěťový nízkopříkonový CMOS BD-QFG DD (Bulk-Driven Quasi-Floating-Gate Differential Difference) zesilovač

KHATEB, F. FUJCIK, L. KLEDROWETZ, V. PRISTACH, M. PROKOP, R. PAVLÍK, M.

Typ produktu

funkční vzorek

Abstrakt

Byla navržena nová CMOS struktura zesilovače typu DD (differential difference), který je schopen pracovat při nízkém napájecím napětí 1V. Tato struktura využívá novou techniku BD-QFG (bulk-driven quasi-floating-gate) k dosažení schopnosti provozu při velmi nízkém napájecím napětím a k dosažení většího rozsahu vstupního napětí. Navrhovaný BD-QFG DDA je vhodný pro aplikace vyžadující nízké napájecí napětí a nízké výkonové spotřeby. Obvod je navržen pro napájecí napětí 1 V a jeho spotřeba je pouze 37,4 uW. Obvod byl navržen a simulován pomocí 0,35 um AMIS CMOS technologie a výsledky simulace prokázaly funkčnost a atraktivní výsledky obvodů.

Klíčová slova

integrované obvody

Datum vzniku

05.03.2014

Umístění

UMEL, T10/6.27

Možnosti využití

Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Licenční poplatek

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

Dokumenty