patent

Ion-atomový zdroj s optimalizovanou tvorbou iontů pro depozici s asistencí iontů (IBAD) v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Vynález je kombinací efusní cely a elektron srážkového iontového zdroje poskytující iontové svazky o ultranízkých energiích v rozmezí od 30 eV až 200 eV. Snížení energie iontového svazku na hypertermní hodnoty (cca 10 eV) je realizováno bez ztráty optimálních ionizační podmínek. Toto je dosaženo především začleněním ionizační komory s mřížkou, která je dostatečně transparentní pro elektrony a ionty. Zdrojem jsou připravovány ultratenké vrstevy a nanostruktury s asistencí iontů o ultranízkých energiích s rychlostí růstu několika monovrstev za hodinu.

Iontově atomární zdroj

303867

5. 5. 2009

24. 4. 2013

Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)

Vut Brno

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek