Detail projektu

High-resolution EBIC studies of dislocations in AlN/Si films

Období řešení: 01.03.2020 — 28.02.2021

Zdroje financování

Vysoké učení technické v Brně - Vnitřní projekty VUT

- plně financující (2020-01-01 - 2021-12-31)

O projektu

The objective of this project is to characterize the microstructural changes in AlN/Si{111} heterostructures for the thicknesses of AlN films of 5, 10, 20, 50 nm. For each film thickness, several methodologies will be used to identify the density of individual dislocation types. A technique of Electron Beam Induced Current (EBIC) in scanning electron microscope (SEM) will be used to characterize the electrical activity of AlN surfaces, in particular to quantify the drop of current around dislocations. Thanks to Nenovision new EBIC technique will be used to study dislocations.

Označení

CEITEC VUT-J-20-6385

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Pongrácz Jakub, Ing. - hlavní řešitel
Gröger Roman, doc. Ing., Ph.D. et Ph.D. - spoluřešitel

Útvary

Útvar podpory vědy a studia
- odpovědné pracoviště (01.01.2020 - 31.12.2020)
Středoevropský technologický institut VUT
- příjemce (01.01.2020 - 31.12.2020)

Výsledky

PONGRÁCZ, J.; VACEK, P.; GRÖGER, R. Recombination activity of threading dislocations in MOVPE-grown AlN/Si {111} films etched by phosphoric acid. Journal of Applied Physics, 2023, vol. 134, no. 19, ISSN: 1089-7550.
Detail

Odpovědnost: Pongrácz Jakub, Ing.