Detail projektu

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3

Období řešení: 01.06.2018 — 30.10.2018

Zdroje financování

Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje
- plně financující (2018-05-01 - 2018-10-30)

O projektu

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures Part 3

Klíčová slova
cryogenycs, noise

Označení

SR18857066

Originální jazyk

angličtina

Řešitelé

Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Majzner Jiří, Ing., Ph.D. - spoluřešitel
Sobola Dinara, doc. Mgr., Ph.D. - spoluřešitel
Trčka Tomáš, Ing., Ph.D. - spoluřešitel

Útvary

Ústav fyziky
- odpovědné pracoviště (30.10.2018 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (30.10.2018 - nezadáno)
oddělení-FYZ-SIX
- příjemce (30.10.2018 - nezadáno)

Výsledky

HOLCMAN, V.; MAJZNER, J.; TRČKA, T.; SOBOLA, D. Cryo Data Extraction STATEMENT OF WORK-The part #4. 2018. p. 1-85.
Detail

Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.