Tento projekt byl spolufinancován se státní podporou Technologické agentury ČR v rámci 1. veřejná soutěž Programu podpory aplikovaného výzkumu, experimentálního vývoje a inovací DELTA 2 2019
www.tacr.cz
Výzkum užitečný pro společnost.

Detail projektu

Nanověda a nanotechnologie se sondovými mikroskopy: od jevů na atomární úrovni k materiálovým vlastnostem

Období řešení: 01.01.2004 — 31.12.2008

Zdroje financování

Technologická agentura ČR - 1. veřejná soutěž Program podpory aplikovaného výzkumu, experimentálního vývoje a inovací DELTA 2 2019

- plně financující (2004-01-01 - 2008-12-31)

O projektu

Nanověda aplikuje různé nanotechnologické postupy tak, aby mohla modifikovat a následně studovat vlastnosti nanoobjektů. Zvláště přitažlivé v těchto rozměrech je uplatňování se kvantových jevů. Navrhovaný výzkum bude koncentrován do 5ti oblastí: strukturní, elektronové a spektroskopické vlasnosti na atomární úrovni. Charakterizace nanoklastrů. Nanolitografie se SPM. Makroskopická a topografická data budou kombinována s lokální spektroskopií elektrické vodivosti, elektroluminiscencen, lokální hustoty stavů, difuze, výstupní práce a fotovoltaických jevů. Tyto fyzikkální vlastnosti budou rovněž studovány teoreticky.

Popis anglicky
Nanoscience aims at emloying complementary nanotechnologies to study and modify properties of nanometer scale objects. Significantly attractive feature of this scale is an increasing influence of quantum phenomena. The proposed research will be concentrated on the five principal topics: Structural, electronic and spectroscopic properties on the atomic scale. Nanoclusters and their characterisation. Nanolithography with the application of SPM methods. Macroscopic characterisation of samples. Theory of electronic structure of atoms and clusters adsorbed and technologicaly important surfaces. Structural and topographic studies of surfaces on the nanoscale will be combined with spectroscopic data giving the information about the local physical parameters connected with local density of states, electrical conductivity, electroluminiscence, surface diffusion doeficient, variation of the surface barrier and photovoltaic properties. Theses features will be treated theoretically as well.

Klíčová slova
křemík, STM, AFM, nanověda, litografie, transportní a optické vlasntosti, morfologie, LDOS, simulace, elektroluminiscence, spektroskopie, PEEM

Klíčová slova anglicky
Si; STM; AFM; nanosceicne; litography; transport and optical properties; morphology; LDOS; simulations; electroluminiscence; spectroscopy; PEEM

Označení

IAA1010413

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - hlavní řešitel

Útvary

Ústav fyzikálního inženýrství
- příjemce (01.01.2004 - 31.12.2008)

Výsledky

PRŮŠA, S.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; MACH, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF-LEIS. ACTA PHYSICA POLONICA A, 2007, vol. 111, no. 3, p. 335-341. ISSN: 0587-4246.
Detail

ČERVENKA, J.; KALOUSEK, R.; BARTOŠÍK, M.; ŠKODA, D.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T. Fabrication of nanostructures on Si(100) and GaAs(1 0 0) by local anodic oxidation. Applied Surface Science, 2006, vol. 253, no. 5, p. 2373-2378. ISSN: 0169-4332.
Detail

BARTOŠÍK, M.; ŠKODA, D.; TOMANEC, O.; KALOUSEK, R.; JÁNSKÝ, P.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. The influence of humidity on the kinetics of local anodic oxidation. Journal of Physics: Conference Series, 2007, vol. 61, no. 0, p. 75-79. ISSN: 1742-6588.
Detail

KOLÍBAL, M.; TOMANEC, O.; PRŮŠA, S.; PLOJHAR, M.; MARKIN, S.; DITTRICHOVÁ, L.; SPOUSTA, J.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. TOF-LEIS spectra of Ga/Si: Peak shape analysis. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2007, vol. 265, no. 2, p. 569-575. ISSN: 0168-583X.
Detail

MACH, J.; ČECHAL, J.; KOLÍBAL, M.; POTOČEK, M.; ŠIKOLA, T. Atomic hydrogen induced gallium nanocluster formation on the Si(100) surface. Surface Science, 2008, vol. 602, no. 10, p. 1898-1902. ISSN: 0039-6028.
Detail

MATLOCHA, T.; PRŮŠA, S.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; PRIMETZHOFER, D.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. A study of a LEIS azimuthal scan behavior: Classical dynamics simulation. Surface Science, 2010, vol. 604, no. 21-22, p. 1906-1911. ISSN: 0039-6028.
Detail

ČECHAL, J.; LUKSCH, J.; KOŇÁKOVÁ, K.; URBÁNEK, M.; KOLÍBALOVÁ, E.; ŠIKOLA, T. Morphology of cobalt layers on native SiO2 surfaces at elevated temperatures: formation of Co islands. Surface Science, 2008, vol. 602, no. 15, p. 2693-2698. ISSN: 0039-6028.
Detail

PLŠEK, R.; UHLÍŘ, V.; URBÁNEK, M.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Měření magnetických vlastností tenkých vrstev pomocí magnetooptického Kerrova jevu. Jemná mechanika a optika, 2008, roč. 52, č. 6, s. 184-186. ISSN: 0447-6441.
Detail

TOMANEC, O.; HRNČÍŘ, T.; LOVICAR, L.; ŠUSTR, L.; BŘÍNEK, L.; KALOUSEK, R.; CHMELÍK, R.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Studium vlastností mikro- a nanostruktur v oblasti plazmoniky na Ústavu fyzikálního inženýrství FSI VUT v Brně. Jemná mechanika a optika, 2008, roč. 52, č. 6, s. 187-189. ISSN: 0447-6441.
Detail

BARTOŠÍK, M.; ŠKODA, D.; TOMANEC, O.; KALOUSEK, R.; JÁNSKÝ, P.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DUB, P.; ŠIKOLA, T. Role of humidity in local anodic oxidation: A study of water condensation and electric field distribution. PHYSICAL REVIEW B, 2009, vol. 79, no. 19, p. 195406-195412. ISSN: 1098-0121.
Detail

ČECHAL, J.; MATLOCHA, T.; POLČÁK, J.; KOLÍBAL, M.; TOMANEC, O.; KALOUSEK, R.; DUB, P.; ŠIKOLA, T. Characterization of oxidized gallium droplets on silicon surface: an ellipsoidal droplet shape model for angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy analysis. Thin Solid Films, 2009, vol. 517, no. 6, p. 1928-1934. ISSN: 0040-6090.
Detail

KOLÍBAL, M.; ČECHAL, T.; KOLÍBALOVÁ, E.; ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T. Self-limiting cyclic growth of gallium droplets on Si(111). NANOTECHNOLOGY, 2008, vol. 19, no. 46, p. 475606-1 (475606-5 p.)ISSN: 0957-4484.
Detail

Odpovědnost: Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc.