Detail projektu

Teoretické a spektroskopické studium organosilikonových molekul a jejich fragmentace

Období řešení: 01.01.2007 — 31.12.2008

O projektu

Cílem projektu je studium fragmentace organosilikonových molekul v FR plazmatu. Kromě experimentální práce budou probíhat ab inition výpočty molekulárních stavů organosilikonů a jejich fragmentů. Výsledky práce budou využity v oblasti plazmochemické depozice tenkých vrstev.

Popis anglicky
The main goal of the project is the study of organosilicone molecules fragmentation in RF plasma. Besides the experimental work the numeric ab initio simulation of the organosilicone molecular states and their fragments will be completed. The results will be used in the field of plasma deposition of thin layers.

Klíčová slova
organosilikonové molekuly, fragmentace, plasmatická depozice

Klíčová slova anglicky
organosilicone molecules, fragmentation, plasma deposition

Označení

2-07-27

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Útvary

Fakulta chemická
- příjemce (11.01.2007 - nezadáno)

Zdroje financování

Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR - KONTAKT

- částečně financující (2007-01-01 - 2008-12-31)

Výsledky

KRČMA, F.; FLAMÍKOVÁ, K.; STUDÝNKA, J. Fragmentation of Tetravinyl Silane in Pulsed RF Discharge. In Proceedings of 17th Symposium on Application of Plasma Processes. Bratislava: UK Bratislava, 2009. p. 285-286. ISBN: 978-80-89186-45-7.
Detail

STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. ISPC XIX - Book of abstracts. Bochum: UPAC, 2009. p. 317-317.
Detail

BRITES, V.; CHAMBAUD, G.; HOCHLAF, M.; KOČIŠEK, J.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š.; KRČMA, F. Ionic Chemistry of Tetravinylsilane Cation (TVS+) Formed by Electron Impact: Theory and Experiment. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2009, vol. 113, no. 23, p. 6531-6536. ISSN: 1089-5639.
Detail

STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. Proceedings of ISPC XIX. Bochum: UPAC, 2009. p. 1850-1 (1850-4 p.)
Detail