Detail předmětu

Mikroelektronické technologie

FEKT-DME2Ak. rok: 2017/2018

Předmět je zaměřen na studium mikroelektronických technologií formou seminářů a samostudia. Student získá přehled o základních a pokročilých metodách a technikách, využítí materiálů a pravidlech vytváření mikrostruktur. Bude se umět orientovat v oblasti návrhu a výroby včetně využítí nanotechnologií v mikroelektronice.

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

4

Výsledky učení předmětu

Přehled metod a technik v tenkovrstvé a polovodičové technologii, schopnost návrhu miktrostruktur a nanostruktur za využití pokročilých technik výroby.

Prerekvizity

není

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Způsob a kritéria hodnocení

ústní zkouška

Osnovy výuky

Základní metody nanášení tenkých vrstev, materiály využívané v tenkovrstvé technologii, vytváření topografie, litografie, anizotropní a isotropní leptání mikrostruktur, termická a chemická oxidace, anodizace, difúze příměsí, pasivační vrstvy, moderní metody vytváření mikrostruktur, MEMS, nanotechnologie a nanoelektronika, NEMS.

Učební cíle

Student se seznámí se základními i pokročilými metodami a technikami vytváření mikrostruktur a polovodičových součástek, s materiály, pravidly pro jejich realizaci a moderními nanotechnologiemi v polovodičovém průmyslu.

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-BEB , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-BEB , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-EST , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-EST , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-FEN , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-FEN , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-KAM , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-KAM , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový
    obor PP-MVE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-MVE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-MET , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-MET , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový
    obor PK-SEE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-SEE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový
    obor PP-TLI , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-TLI , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PP doktorský

    obor PP-TEE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

  • Program EKT-PK doktorský

    obor PK-TEE , 1. ročník, letní semestr, volitelný oborový

Typ (způsob) výuky

 

Seminář

39 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

Osnova

1 Úvod – výroba Si desek a bipolární technologie (On Semiconductor)
2 Základní metody nanášení tenkých vrstev
2.1 PVD (Physical Vapor Deposition) metody
2.2 CVD (Chemical Vapor Deposition) metody – redukce, oxidace nitridace, polymerace
3 Materiály
3.1 Targety
3.2 Prekurzory, sol-gel metoda
4 Pokročilé metody
4.1 Magnetronové naprašování – RF, reaktivní
4.2 Iontové naprašován
4.3 LPCVD (Low Pressure CVD)
4.4 PECVD (Plasma Enhanced CVD)
4.5 MOCVD (Metallo-Organic CVD)
4.6 ALD (Atomic Layer Deposition)
4.7 MBE (Molecular Beam Epitaxi)
5 Speciální metody
5.1 Termická a chemická oxidace
5.2 Galvanické pokovování
5.3 Anodizace
5.4 Spin- a dip-coating
5.5 Pasivace
5.6 Difúze látek v pevných materiálech – dopování příměsemi
6 Návrh topografie mikrosystémů, pravidla
7 Litografie
7.1 Elektronová litografie
7.2 Fotolitografie
8 Techniky leptání
8.1 Mokré – izotropní a anizotropní leptání
8.2 Suché – plasmové odprašování
9 Mikro a nanosystémy
9.1 MEMS (MicroElectroMechanical Systems)
9.2 NEMS (NanoElectroMechanical Systems
10 Moderní nanotechnologie a nanoelektronika
10.1 Samouspořádací proces – uhlíkové nanotrubky, anodizované nanopóry
10.2 65 a 45 nm technologie DIO – tri-gate tranzistor
10.3 Molekulární elektronika