Detail předmětu

Elektronické součástky - praktikum

FEKT-BESOPAk. rok: 2017/2018

Přechod PN. Polovodičová dioda. Bipolární tranzistor. Unipolární tranzistory. Spínací prvky, tyristor.

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

2

Výsledky učení předmětu

Na základě ověření znalosti studenta v laboratorní výuce je student po absolvování předmětu schopen :

Pochopit vliv elektrického pole v depletiční oblasti polovodičového přechodu na jeho chování.
Definovat bariérovou a difúzní kapacitu přechodu PN.
Vysvětlit činnost přechodu PN v zapojení usměrňovače, stabilizátoru napětí, kapacitní diody, fotodiody, luminiscenční diody a řízeného diferenciálního odporu.
Popsat strukturu bipolárního traznistoru a vysvětlit její činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač ve třídě A a spínač s bipolárním tranzistorem.
Popsat struktury unipolárních traznistorů a vysvětlit jejich činnost.
Navrhnout a analyzovat zesilovač ve třídě A a spínač s unipolárními tranzistory JFET a IGFET.
Popsat strukturu tyristoru a na náhradním schematu vysvětlit její činnost.
Definovat princip fázového řízení spínacích prvků.

Prerekvizity

Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia.

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Konrolovaná laboratorní výuka. Předmět využívá e-learning (Moodle).

Způsob a kritéria hodnocení

Maximální počet bodů získaný za aktivní účast v laboratorní výuce : 100.
Minimum bodů pro udělení zápočtu : 70.

Osnovy výuky

1. Seznámení s přístroji v laboratoři. Měření vlastností derivačních a integračních článků.
2. Polovodičová dioda. Ampérvoltová charakteristika diody. Dioda jako usměrňovač a řízený odpor.
3. Polovodičová dioda. Ampérvoltová charakteristika diody. Dioda v propustném a závěrném směru. Dioda jako usměrňovač, zdroj referenčního napětí, spínač a řízený odpor.
4. Polovodičová dioda. Dioda jako zdroj referenčního napětí,Varikap, Fotodioda,
5. Bipolární tranzistor. Ampérvoltové charakteristiky tranzistoru v zapojení se společným emitorem (SE). Normální a inverzní aktivní režim, saturační a závěrný režim tranzistoru.
6. Bipolární tranzistor. Bipolární tranzistor jako zesilovač v zapojení SE, SB, SC. / Kontrolní měření.
7. Bipolární tranzistor. Tranzistor jako spínač.
8. Unipolární tranzistory. JFET jako proudový zdroj a zesilovač., spínač a řízený odpor. Ampérvoltové charakteristiky.
9.Unipolární tranzistory. MOSFET jako zesilovač a řízený odpor. Ampérvoltové charakteristiky.
10. Unipolární tranzistory. MOSFET jako spínač .
11.Tyristor. Ampérvoltové charakteristiky tyristoru . Spínací charakteristika tyristoru. Určení vratného proudu.

Učební cíle

Seznámit posluchače s vlastnostmi elektronických součástek a jejich použitím.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky

Laboratorní cvičení, účast ve výuce dle rozvrhu, slpnění bodového limitu.

Základní literatura

Singh J. : Semiconductor Devices ,McGraw-Hill
Boylestad R., Nashelsky L. :Electronic devices and Circuit Theory ,Prentice Hall
MUSIL V., BRZOBOHATÝ J., BOUŠEK J, PRCHALOVÁ I.: " Elektronické součástky", PC dir, BRNO, 1999
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P., Mojrova B.: Elektronické součástky sbírka příkladů, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum
Boušek J., Kosina P.: Elektronické součástky BESO, laboratorní cvičení, FEKT VUT V BRNĚ, elektronické skriptum

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program EEKR-B bakalářský

    obor B-AMT , 1. ročník, letní semestr, povinný
    obor B-EST , 1. ročník, letní semestr, povinný
    obor B-MET , 1. ročník, letní semestr, povinný
    obor B-SEE , 1. ročník, letní semestr, povinný
    obor B-TLI , 1. ročník, letní semestr, povinný

  • Program EEKR-CZV celoživotní vzdělávání (není studentem)

    obor ET-CZV , 1. ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky