• Události
  • Sem patřím
  • Centrum sportovních aktivit VUT v Brně
  • Výzkumná centra

  • Pravděpodobně máte vypnutý JavaScript. Některé funkce portálu nebudou funkční.

Detail oboru

Microelectronics and Technology


Zkratka: PPA-MET
Zaměření: -
Délka studia: 4 roky
Program: Electrical Engineering and Communication
Fakulta: Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Akademický rok: 2017/2018
Akreditace od: 25.7.2007
Akreditace do: 31.12.2020
Profil oboru:
Studijní obor doktorského studia je zaměřen na přípravu špičkových vědeckých a výzkumných specialistů v nejrůznějších oblastech mikroelektroniky a elektrotechnologie, zejména pak v teorii, návrhu a testování integrovaných obvodů a systémů, v polovodičových prvcich a strukturách, v inteligentních senzorech, v optoelektronice, v elektrotechnických materiálech a výrobních procesech a ve zdrojích elektrické energie.
Cílem je poskytnout ve všech těchto dílčích zaměřeních doktorské vzdělání absolventům vysokoškolského magisterského studia, prohloubit jejich teoretické znalosti, dát jím též potřebné speciální vědomosti i praktické dovednosti a naučit je metodám vědecké práce.
Klíčové výsledky učení:
Absolvent umí řešit vědecké a složité technické úlohy v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie.
Díky kvalitnímu rozvinutému teoretickému vzdělání a specializaci ve vybraném oboru jsou absolventi doktorského studia vyhledáváni jako specialisté v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie.
Absolventi doktorského studijního programu budou v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie schopni pracovat jako vědečtí a výzkumní pracovníci v základním či aplikovaném výzkumu, jako specializovaní odborníci vývoje, konstrukce a provozu v různých výzkumných a vývojových institucích, elektrotechnických a elektronických výrobních firmách a společnostech a u výrobců či uživatelů elektrických systémů a zařízení, přičemž zde budou schopni tvůrčím způsobem využívat moderní výpočetní a měřicí techniku.
Profesní profil absolventů s příklady:
Absolvent doktorského studia umí řešit vědecké a složité technické úlohy v oblasti mikroelektroniky a elektrotechnologie. Absolvent má obecné znalosti oboru na vysoké teoretické úrovni a jeho speciální znalosti jsou koncentrovány na úzkou oblast, ve které vypracoval svou disertační práci.
Vzhledem k šíři teoretického vzdělání je absolvent schopen se přizpůsobit požadavkům praxe v základním i aplikovaném výzkumu a absolventi doktorského studia jsou vyhledáváni jako specialisté ve všech oblastech mikroelektroniky a elektrotechnologie. Jsou schopni pracovat jako vědečtí a výzkumní pracovníci i jako řídicí pracovníci v základním či aplikovaném výzkumu, jako specializovaní odborníci vývoje, konstrukce a provozu v různých výzkumných a vývojových institucích, elektrotechnických výrobních firmách a u uživatelů elektrických systémů a zařízení, přičemž všude budou schopni tvůrčím způsobem využívat moderní technologii.
Garant oboru: prof. Ing. Vladislav Musil, CSc.
Vypsaná témata doktorského studijního programu:
  1. Měřicí systém pro spektroskopii využívající rychlou elektronovou spinovou rezonanci na terahertzových frekvencích

    Téma práce se zabývá vývojem měřicího systému pro spektroskopii využívající rychlou elektronovou spinovou rezonanci na terahertzových frekvencích (THz Rapid Scan Electron Spin Resonance - ESR), kde rychlý sběr a zpracování dat je vyžadovaný v reálném čase. Doktorand bude pracovat na řešení úlohy zpracování dat, která zahrnuje vývoj programu na zpracování dat a také implementaci a programování vhodného rychlého hardware pro sběr dat. Práce bude řešena a podpořena v týmu prestižního grantu European Research Council (ERC). Pro více detailů lze přímo kontaktovat Prof. Radimíra Vrbu nebo Dr. Petra Neugebauera.

    Školitel: Vrba Radimír, prof. Ing., CSc.
  2. Nové obvodové principy pro návrh analogových obvodů s nízkým příkonem a napájecím napětím

    Využití nových obvodových principů pro návrh analogových obvodů s nízkým příkonem a napájecím napětím. Obvody budou sloužit především v oblasti biomedicíny. Teoretický návrh a experimentální ověření analogových obvodů s nízkým napájecím napětím a nízkým příkonem za použití programu Cadence a technologie TSMC 0.18 um.

    Školitel: Khateb Fabian, doc. Ing. et Ing., Ph.D. et Ph.D.
  3. Redoxní průtokové články pro uchování elektrické energie

    V práci se student seznámí se současnou problematikou uchovávání energie prostřednictvím elektrochemických průtokových redoxních článků. Experimentální práce povede ke zdokonalení článků založených na principu redukce vanadových sloučenin a k návrhu a vývoji článků s novými typy redoxních soustav vedoucích k náhradě článků vanadových.

    Školitel: Vanýsek Petr, prof. RNDr., CSc.
  4. Studium materiálů majících více oxidačních stupňů pro využití ve zdrojích pro uchování energie.

    Práce je zaměřena na studium nabíjení a vybíjení roztoků obsahujících soli redoxních systémů, které se mohou opakovaně nabíjet a vybíjet. Prvotní výzkum se bude věnovat roztokům sloučenin vanadu a bude možné jej rozšířit na další systémy. Cílem měření bude porozumění vazby experimentálních podmínek na účinnost a trvanlivost navržených systémů. Metody měření budou spočívat ve všech moderních přístrojových technikách elektrochemie a materiálových věd.

    Školitel: Vanýsek Petr, prof. RNDr., CSc.
  5. Techniky pro návrh operačních zesilovačů s extrémně nízkým napájecím napětím

    Nové techniky pro návrh operačních zesilovačů s extrémně nízkým napájecím napětím. Cílové napájecí napětí je v rozmezí 0,5 V až 0,3 V a výkonová spotřeba v řádech nanometrů. Funkčnost a správnost navržené struktury bude popsána a ověřena jak matematicky, tak i simulačně za použití 0,18 µm CMOS technologie od TSMC.

    Školitel: Khateb Fabian, doc. Ing. et Ing., Ph.D. et Ph.D.
  6. Závislost reálně měřené elektrické impedance na geometrickém uspořádání měření a vzorku.

    V této práci bude student zkoumat metody měření a vyhodnocování elektrické impedance vzorků, které jsou zajímavé v elektrochemické praxi. Student se seznámí s koncepcí artefaktů měření přístrojem ve čtyřelektrodovém zapojení. Student se naučí experimentální metody měření impedance, stejně jako se naučí výpočetní metody (modelování metodou konečných prvků), a bude schopen posuzovat, bok po boku, očekávané a naměřené údaje. Student bude vyvíjet geometricky složité konfigurace pro objasnění řádného vyhodnocení reálných nepříznivě tvarovaných vzorků.

    Školitel: Vanýsek Petr, prof. RNDr., CSc.

Struktura předmětů s uvedením ECTS kreditů (studijní plán)

Ročník 1, zimní semestr

Kód Název J. Kr. Sem. Pov. Uk. Sk. Ot.

Volitelný oborový
FEKT-DBM1A Advanced methods of processing and an... en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DTK2A Applied cryptography en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DET1A Electrotechnical materials, material ... en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DFY1A Junctions and nanostructures en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DEE1A Mathematical Modelling of Electrical ... en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DME1A Microelectronic Systems en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DRE1A Modern electronic circuit design en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DAM1A Selected chaps from automatic control en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DVE1A Selected problems from power electron... en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DTE1A Special Measuring Methods en  4  zimní VO drzk   ano
FEKT-DMA1A Statistics, Stochastic Processes, Ope... en  4  zimní VO drzk   ano

Volitelný všeobecný
FEKT-DJA6A English for post-graduates cs  4  zimní VV drzk   ano
 


Ročník 1, letní semestr

Kód Název J. Kr. Sem. Pov. Uk. Sk. Ot.

Volitelný oborový
FEKT-DMA2A Discrete Processes in Electrical Engi... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DME2A Microelectronic technologies en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DRE2A Modern digital wireless communication en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DTK1A Modern network technologies en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DTE2A Numerical Computations with Partial D... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DET2A Selected diagnostic methods, reliabil... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DAM2A Selected chaps from measuring techniques en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DBM2A Selected problems of biomedical engin... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DEE2A Selected problems of electricity prod... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DFY2A Spectroscopic methods for non-destruc... en  4  letní VO drzk   ano
FEKT-DVE2A Topical Issues of Electrical Machines... en  4  letní VO drzk   ano
 


Ročník 1, celoroční

Kód Název J. Kr. Sem. Pov. Uk. Sk. Ot.

Povinný
FEKT-DQJAA English for the state doctoral exam cs  4  celoroční P drzk   ano