Ing.

Stanislav Voborný

Ph.D.

FSI, ÚFI – odborný asistent

+420 54114 2783
voborny@fme.vutbr.cz

Odeslat VUT zprávu

Ing. Stanislav Voborný, Ph.D.

Publikace

  • 2019

    MACH, J.; PIASTEK, J.; MANIŠ, J.; ČALKOVSKÝ, V.; ŠAMOŘIL, T.; FLAJŠMANOVÁ, J.; BARTOŠÍK, M.; VOBORNÝ, S.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Low temperature selective growth of GaN single crystals on pre-patterned Si substrates. Applied Surface Science, 2019, roč. 497, č. 143705, s. 1-7. ISSN: 0169-4332.
    Detail | WWW

  • 2014

    MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; VOBORNÝ, S.; BARTOŠÍK, M.; ŠIKOLA, T. Optimization of ion-atomic beam source for deposition of GaN ultrathin films. Review of Scientific Instruments, 2014, roč. 85, č. 8, s. 083302-1 (083302-5 s.)ISSN: 0034-6748.
    Detail

  • 2011

    MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; ŠIKOLA, T. An ultra-low energy (30–200 eV) ion-atomic beam source for ion-beam- assisted deposition in ultrahigh vacuum. Review of Scientific Instruments, 2011, roč. 82, č. 8, s. 083302- 1 (083302-7 s.)ISSN: 0034- 6748.
    Detail

  • 2007

    ČECHAL, J.; MACH, J.; VOBORNÝ, S.; KOSTELNÍK, P.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A study of Ga layers on Si(100)-(2x1) by SR-PES: influence of adsorbed water. Surface Science, 2007, roč. 601, č. 9, s. 2047-2053. ISSN: 0039- 6028.
    Detail

  • 2005

    VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. s. 117-117.
    Detail

  • 2004

    VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; MACH, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; PRŮŠA, S.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Deposition and in-situ charakterization of ultra- thin films. Thin Solid Films, 2004, roč. 459, č. 1- 2, s. 17 ( s.)ISSN: 0040- 6090.
    Detail

    VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T. A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth. In New Trends in Pysics. Brno: VUT v Brně, 2004. s. 270 ( s.)ISBN: 80-7355-024- 5.
    Detail

    VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium- nitride Ultrathin Film Growth. Jemná mechanika a optika, 2004, roč. 9, č. 9, s. 265 ( s.)ISSN: 0447- 6441.
    Detail

  • 2003

    VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra- thin films. In EVC' 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. s. 45 ( s.)
    Detail

  • 2001

    PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., VOBORNÝ, S., BÁBOR, P. Ion Scattering Spectrosopy - A Tool for Surface Analysis. In Juniormat ' 01 sborník. Brno: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, 2001. s. 86 ( s.)
    Detail

    URBÁNEK, M., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T., ZLÁMAL, J., CHMELÍK, R., HARNA, Z., JIRUŠE, J., JÁKL, M. In situ plošné monitorování optických parametrů tenkých vrstev. Jemná mechanika a optika, 2001, roč. 46, č. 4, s. 143 ( s.)ISSN: 0447- 6441.
    Detail

    PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., SPOUSTA, J., VOBORNÝ, S., BÁBOR, P., JURKOVIČ, P., ČECHAL, J. Application of TOF - LEIS and XPS for Surface Studies. In Materials Structure & Micromechanics of Fracture (MSMF-3). Brno: Vutium, 2001. s. 486 ( s.)ISBN: 80-214-1892- 3.
    Detail

    VOBORNÝ, S., ZLÁMAL, J., BÁBOR, P. Deposition of Ultrathin Films - Optimalisation of Ion Beam Optics. In Juniormat ' 01 sborník. Brno: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, 2001. s. 281 ( s.)
    Detail

    VOBORNÝ, S., ŠIKOLA, T., PRŮŠA, S., ZLÁMAL, J., BÁBOR, P. Diagnostics and optimization of ion source parameters. In Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice. Brno: FEI VUT v Brně, 2001. s. 304 ( s.)ISBN: 80-214-1992- X.
    Detail

  • 2000

    VOBORNÝ, S., ZLÁMAL, J. Optimalizace plazmatického iontového zdroje pro přímou depozici tenkých vrstev. In II. sborník příspěvků doktorandů, konference u příležitosti 100. výročí založení FSI. Brno: Vutium, 2000. s. 353 ( s.)
    Detail

*) Citace publikací se generují jednou za 24 hodin.