Publication detail

Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu

GRMELA, L.

Original Title

Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu

Czech Title

Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu

English Title

Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu

Language

cs

Original Abstract

VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.

Czech abstract

VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.

English abstract

VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.

Keywords

reliability parameter, temperature measurement, defect,localization states, agening

Released

31.07.2012

Location

Brno

Pages from

1

Pages to

5

Pages count

5

BibTex


@misc{BUT105361,
  author="Lubomír {Grmela} and Robert {Macků} and Jiří {Majzner} and Miloš {Chvátal}",
  title="Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu",
  annote="VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních  polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.",
  chapter="105361",
  year="2012",
  month="july",
  pages="1--5"
}