funkční vzorek

Cílem sestavení funkčního vzorku bylo vyloučení technologického procesu vysokoteplotní pasivace metodou LPCVD (850 st.C) a nahrazení tohoto kroku technologií magnetronového naprašování při nízkých teplotách (cca. 100 st.C). Jako materiál pro reaktivní depozici vybraných vrstev byl zvolen nitrid hliníku AlN. Tenké vrstvy byly deponovány na přední stranu článků. Po zhotovení solárního článku byly měřeny jeho výstupní parametry a srovnávány se standardní technologií. Bylo prokázáno, že zjištěné hodnoty zejména účinnosti a fill faktoru byly srovnatelné s technologií LPCVD. Ve srovnání se tedy ukázalo, že je možné odstranit vysokoteplotní procesy bez výrazného poklesu žádaných výstupních parametrů.

oxid hliníku, pasivace zadní strany

20. 9. 2011

Ústav mikroelektroniky, Laboratoř analogových obvodů a mikroelektronických technologií - 5.25

Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek